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IPI14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU14N03L	文件：109.71 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-TransistorBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NTD14N03R	文件：260.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=95mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD14N03R	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD14N03R	文件：86.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET14Amps,25VoltsN-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD14N03RG	文件：86.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET14Amps,25VoltsN-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD14N03R	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IPI14N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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