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IPI50CN10NG | OptiMOS짰2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
IPI50CN10NG | OptiMOS2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3; | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS짰2Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS짰2Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS2Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
技术参数
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):
100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
20A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
50 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 20µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
16nC @ 10V
- Vgs(最大值):
±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
1090pF @ 50V
- 功率耗散(最大值):
44W(Tc)
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
PG-TO262-3
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
TO-262 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
10000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
I2PAK(TO-262) |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
25+23+ |
TO-262 |
7625 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
32953 |
原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
09+PBF |
TO-262 |
17500 |
现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
TO-262 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-262 |
1709 |
询价 |
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