订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>IPI50CN10NG>详情
IPI50CN10NG_INFINEON/英飞凌_OptiMOS㈢2 Power-Transistor一线半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号
:IPI50CN10NG
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:20A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:50 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:4V @ 20µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:16nC @ 10V
- Vgs(最大值)
:±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:1090pF @ 50V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:44W(Tc)
- 工作温度
:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 供应商器件封装
:PG-TO262-3
- 封装/外壳
:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商
相近型号
- IPI47N10S-33
- IPI50N12S3L15AKSA1
- IPI45P03P4L11AKSA1
- IPI50R099CP
- IPI45P03P4L-11
- IPI50R140
- IPI45N06S4L08AKSA3
- IPI50R140CP
- IPI45N06S4L08AKSA2
- IPI50R140CPXKSA1
- IPI45N06S4L08AKSA1
- IPI50R199CP
- IPI45N06S4L-08
- IPI50R199CPXKSA1
- IPI45N06S4L08
- IPI50R250CP
- IPI50R250CPXKSA1
- IPI45N06S4-09AKSA2
- IPI50R299CP
- IPI45N06S409AKSA2
- IPI50R299CPXK
- IPI45N06S409AKSA1
- IPI50R299CPXKSA1
- IPI45N06S4-09
- IPI50R350CP
- IPI45N06S3L13XK
- IPI50R350CP(5R350P)
- IPI45N06S3L-13
- IPI50R350CPXKSA1
- IPI45N06S3L13
- IPI50R380CE
- IPI45N06S3L
- IPI50R399CP
- IPI45N06S316XK
- IPI50R399CP(5R399P)
- IPI50R399CPHKSA1
- IPI45N06S3-16
- IPI50R399CPXKSA1
- IPI45N06S316
- IPI50R399CPXKSA2
- IPI44L01E
- IPI50R399P
- IPI3D16N4R7MA1
- IPI530N15N3
- IPI3D16N220MA1
- IPI530N15N3G
- IPI35CN10NGAKSA1
- IPI530N15N3GXKSA1
- IPI35CN10NG
- IPI57N08N3