VNQ9080AJ四通道高侧驱动器
VNQ9080AJ四通道高侧驱动器，STMicroelectronics VNQ9080AJ四通道高侧驱动器采用ST专有的VIPower M0-9技术制造而成。该驱动器采用PowerSSO-16封装。该器件设计用于通过3V和5V CMOS兼容接口驱动12V汽车接地负载。它具有保护和诊断功能。特性_符合AEC-Q100标准_用于深度冷启动应用的极低电压操作（符合2013版LV124标准）
电可擦除可编程只读存储器：93C86BT-E/ST
电可擦除可编程只读存储器 16k 1024 X 16 SERIAL EE,EXT，制造商: Microchip 产品种类: 电可擦除可编程只读存储器 RoHS: 环保 封装 / 箱体: TSSOP-8 存储容量: 16 kbit 组织: 1 k x 16 商标: Microchip Technology 产品类型: EEPROM 包装数量: 2500 子类别: Memory & Data Storage 公司优势供应：93LC86CT-E/MS 93LC86AT-
电可擦除可编程只读存储器 ：24AA64FT-I/ST
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 1.8V SER EE IND 1/4AWP，制造商: Microchip 产品种类: 电可擦除可编程只读存储器 RoHS: 环保 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSSOP-8 接口类型: 2-Wire, I2C 存储容量: 64 kbit 组织: 8 k x 8 电源电压-最小: 1.7 V 电源电压-最大: 5.5 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 最大时钟频率
英飞凌 CY9BF524MPMC1-G-JNE2 微控制器MCU 封装LQFP80 支持实单
英飞凌 CY9BF524MPMC1-G-JNE2 微控制器MCU 封装LQFP80 ，制造商: Infineon 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: MB9B520M 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-80 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 72 MHz 输入/输出端数量: 65 I/O
ADFS7124低功耗低噪声模拟前端
ADFS7124低功耗低噪声模拟前端 ， ADFS7124低功耗低噪声模拟前端 Analog Devices Inc.ADFS7124低功耗低噪声模拟前端设计用于高精度测量。Analog Devices ADFS7124具有一个具有低噪声的24位Σ-Δ模数转换器 (ADC)，可
优势出：MCIMX6X4EVM10AB
优势出：GM510 MCIMX6X4EVM10AB EP2C70F896C8N HI-3220PQIF MK10DN512VLK10R PCA9615DPZ STM32F429IET6 ，MCIMX6X4EVM10AB处理器是一款专门设计用于特定应用领域的处理器。它具有高性能和稳定性，适用于各种需求严苛的场景。本文将探讨MCIMX6X4EVM10AB处理器在专门应用领域的优势和应用。 首先，MCIMX6X4EVM10AB
STM32C0x Arm® Cortex-®M0+ 32位MCU
STM32C0x Arm® Cortex-®M0+ 32位MCU，STMicroelectronics STM32C0x Arm® Cortex®-M0+ 32位MCU采用高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC内核，工作频率高达48MHz。该器件具有高集成度，非常适合用于各种消费类、工业和家电应用。此外，这些MCU还可用于物联网 (IoT) 解决方案。STM STM32C0x Arm Cortex-M0+ 32位MCU结合了内存保护单元 (MPU)、高速嵌入式内存（12kB S
STM32H5 Arm® Cortex®-M33 32位MCU+FPU
STM32H5 Arm® Cortex®-M33 32位MCU+FPU，STMicroelectronics STM32H5 Arm® Cortex®-M33 32位MCU+FPU扩展STM32高性能产品组合，提高了性能和功率效率。STMicroelectronics STM32H5具有128KB闪存、32KB RAM、25引脚至64引脚WLCSP封装以及LQFP配置文件。该系列包含Arm Cortex-M33，带DSP和浮点单元 (FPU)，运行频率高达250MHz。特性&nbs
onsemi NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET，安森美半导体NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET设计用于紧凑型高效设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(on) 、低QG和低电容、60V的漏极-源极电压、146A的脉冲漏极电流以及-55°C至175°的工作结温范围。NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR，且符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和H桥）、同步直流-直流稳压器以及电池管理和保护。
Micron LPDDR4内存
Micron LPDDR4内存，Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供
电可擦除可编程只读存储器：93AA56CT-I/MNY
电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 OR 128X16 SER EE 1.8V IND，制造商: Microchip 产品种类: 电可擦除可编程只读存储器 RoHS: 环保 封装 / 箱体: TDFN-8 存储容量: 2 kbit 组织: 256 x 8/128 x 16 电源电流—最大值: 1 mA, 2 mA 有源读取电流（最大值）: 1 mA 商标: Microchip Technology 产品类型: EEPROM 包装数量: 3300 子类别
5CSEBA5U19I7N
5CSEBA5U19I7N，品牌 阿尔特拉 封装 UBGA-484 批号 22+ 数量 7650 制造商 Intel 产品种类 FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS 是 产品 Cyclone V SE 逻辑元件数量 85000 逻辑数组块数量——LAB 10625 输入/输出端数量 66 I/O 工作电源电压 1.1 V 最小工作温度 - 40 C 最大工作温度 + 100 C 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 UBGA-484
EP4CGX22CF19I7N
EP4CGX22CF19I7N，品牌 Altera 封装 BGA 批号 15+ 数量 2588 制造商 Intel 产品种类 FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS 是 产品 Cyclone IV GX 逻辑元件数量 21280 逻辑数组块数量——LAB 1330 输入/输出端数量 150 I/O 工作电源电压 1 V to 1.2 V 最小工作温度 - 40 C 最大工作温度 + 85 C 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA
BTS432E2 E3062A
BTS432E2 E3062A ，品牌 INFINEON 封装 TO263 批号 22+ 数量 15000 制造商 Infineon 产品种类 电源开关IC-配电 RoHS 是 输出端数量 1Output 输出电流 9A 导通电阻—最大值 30mOhms 最小工作温度 -40C 最大工作温度 +150C 安装风格 ThroughHole 封装/箱体 TO-220-5 Pd-功率耗散 125000mW 单位重量 3g 可售卖地 全国 型号
10CL080YF780I7G
10CL080YF780I7G，品牌 英特尔 封装 Cute Tape 批号 2023 数量 3676 制造商 Intel 产品种类 FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS 是 逻辑元件数量 81264 逻辑数组块数量——LAB 5079 输入/输出端数量 423 I/O 工作电源电压 1.2 V 最小工作温度 - 40 C 最大工作温度 + 100 C 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA-780 系列 Cyclone 10
178.6764.0001保险丝LITTELFUSE现货常备产品原装可到商城查价格
178.6764.0001 保险丝 LITTELFUSE 现货常备产品原装可到商城查价格 ，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Bel 产品种类: 自恢复保险丝—PPTC RoHS: 详细信息 系列: 0ZCG 安装风格: PCB Mount 端接类型: SMD/SMT 保持电流: 100 mA 最大电压: 60 VDC 跳闸电流: 300 mA 额定电流—最大值: 100 A 电阻: 15 Ohms 封装 / 箱体: 1812 (4532 metric)
0ZCG0010FF2C 保险丝 BEL FUSE 现货常备产品原装可到商城查价格
0ZCG0010FF2C 保险丝 BEL FUSE 现货常备产品原装可到商城查价格 ，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Bel 产品种类: 自恢复保险丝—PPTC RoHS: 详细信息 系列: 0ZCG 安装风格: PCB Mount 端接类型: SMD/SMT 保持电流: 100 mA 最大电压: 60 VDC 跳闸电流: 300 mA 额定电流—最大值: 100 A 电阻: 15 Ohms 封装 / 箱体: 1812 (4532 metric)
英飞凌 CY9BF524MPMC1-G-JNE2 微控制器MCU 封装LQFP80 欢迎询价
英飞凌 CY9BF524MPMC1-G-JNE2 微控制器MCU 封装LQFP80，制造商: Infineon 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: MB9B520M 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-80 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 72 MHz 输入/输出端数量: 65 I/O
优势出：S9KEAZN64AMLCR
优势出：S9KEAZN64AMLCR MIMXRT1176CVM8A BTS50085-1TMA STM32F767BIT6 STM32F407VET6 STM32F103TBU6 TDA7851L TDA7388 TDA7850 ，S9KEAZN64AMLCR是一款ARM微控制器（MCU），它具有出色的性能和广泛的应用领域。作为一款先进的嵌入式系统解决方案，S9KEAZN64AMLCR在各种电子设备和系统中发挥着重要作用。 首先，S9KEAZN64AMLCR MCU具有高性能和低功
英飞凌 CY9BF524MPMC1-G-JNE2 微控制器MCU 封装LQFP80 价格优势
英飞凌 CY9BF524MPMC1-G-JNE2 微控制器MCU 封装LQFP80 原装现货 价格优势，制造商: Infineon 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: MB9B520M 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-80 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 72 MHz 输入/输出端数
MC33172DR2G
MC33172DR2G，製造商: onsemi 產品類型: 運算放大器 - 運放器 RoHS: 詳細資料 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SOIC-8 通道數: 2 Channel 電源電壓 - 最大值: 44 V, +/- 22 V GBP - 增益帶寬產品: 1.8 MHz 每通道的輸出電流: 5 mA SR - 迴轉率: 2.1 V/us Vos - 輸入偏移電壓: 5 mV 電源電壓 - 最小值: 3 V, +/- 1.5 V 最低工作溫
SN74LVT16245BDGG
SN74LVT16245BDGG，製造商: Texas Instruments 產品類型: Texas Instruments 品牌: Texas Instruments製造商: Texas Instruments 產品類型: Texas Instruments 品牌: Texas Instruments
TMS320F280013x 32位微控制器 (MCU)
TMS320F280013x 32位微控制器 (MCU)，Texas Instruments TMS320F280013x 32位微控制器 (MCU) 是C2000™实时微控制器系列可扩展、超低延迟器件的组成部分，设计用于提高电源电子设备的效率。实时控制子系统基于TI’的32位C28x DSP内核，为通过片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码提供120MHz信号处理性能。C28x CPU由三角运算数学单元 (TMU) 进一步升压，从而加快对于实时控制系统来说非常关键的通用算法。Texas
STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET，STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、 83W总功耗、全球RDS(ON) x区域以及全球品质因数(FOM)。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用 DPAK (TO-252) A2型封装。典型应用包括
STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET，STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。STMicroelectronics STL120N10F8是开关应用的理想选择。特性_MSL1等级&n
