STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、 83W总功耗、全球RDS(ON) x区域以及全球品质因数(FOM)。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用 DPAK (TO-252) A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。
特性

_超低栅极电荷
_全球RDS(ON) x区域
_全球FOM（品质因数）

_±30V栅极-源极电压
_总功率耗散：83W

应用

_反激式转换器
_LED照明

_平板电脑和笔记本电脑的适配器