STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET

STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。STMicroelectronics STL120N10F8是开关应用的理想选择。
特性

_MSL1等级
_175°C工作温度
_100%经雪崩测试

228，
SGT120R65AL e-mode PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT120R65AL e-mode PowerGaN晶体管提供650V和15A电压，并结合了成熟的封装技术。SGT120R65AL G-HEMT器件具有极低的导通损耗、大电流能力和超快速开关操作。借助这些特性，STM SGT120R65AL可实现高功率密度和出色的效率。
特性

_增强模式，常闭晶体管
_非常高的开关速度
_大功率管理能力

_极低电容
_开尔文源极焊盘，实现最佳栅极驱动
_零反向恢复电荷

应用

_用于平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
_USB Type-C™ PD适配器和快速充电器
_无线充电器