Micron LPDDR4内存

Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。
特性

_优化用于解决电池供电应用中的功耗问题
_与标准DRAM相比，在待机模式下的功耗降低至1/5

_多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计，可节省PCB空间
_与DDR4相比，峰值带宽快33%

应用

_汽车：
_ISO 9001/IATF 16949质量管理系统
_符合AEC-Q100标准
_零缺陷方法
_工业：
_POS/零售、智能/监控摄像头和可穿戴设备，高达128GB LP2/LP3/LP4/LP5
_M2M模块
_3G/4G无线网络，具有高达4Gb LP1/LP2 MCP
_5G无线网络，具有高达8GB LP4 MCP

_消费电子产品：
_Micron提供差异化解决方案，实现成本优化和创新
_Micron内存采用先进的技术，经过严格测试，适合用于各种应用
_LPDRAM产品组合采用各种POP封装，适合用于小尺寸应用