STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET,STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术,具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。STMicroelectronics STL120N10F8是开关应用的理想选择。特性_MSL1等级&n