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IHW50N65R6中文资料650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IHW50N65R6 |
参数属性 | IHW50N65R6 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3 |
功能描述 | 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 10:31:00 |
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IHW50N65R6规格书详情
特性 Features
优势:
• Lowest losses on IGBT, high system efficiency for higher power output
• Fast and easy replacement of predecessor R5 portfolio
• High device reliability
• Good EMI behaviour
简介
IHW50N65R6属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW50N65R6晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IHW50N65R6XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,50A
- 开关能量:
1.5mJ(开),660µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
21ns/261ns
- 测试条件:
400V,50A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-247 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
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Infineon |
TO-247 |
68500 |
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询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
5000 |
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INFINEON/英飞凌 |
2407+ |
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10750 |
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24+ |
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58000 |
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Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
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INFINEON/英飞凌 |
12+ |
TO-247 |
20 |
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