IHW30N160R5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

第5代反向导通1600 V，30 A TRENCHSTOP™ IGBT，采用 TO-247 封装的单片集成反向导通二极管，针对感应烹饪应用的严格要求进行了优化。30A RC-H5 器件在上一代反向导通 IGBT 基础上进行了改进，并进一步提升了 RC-H 系列性能的先进地位，它专注于系统效率和可靠性。

特性 Features

• 开关损耗减少幅度高达20％
• 超低通态损耗
• 启动电流峰值降低10％
• Tj(max)= 175°C
• 低 EMI 的软电流关断波形
• 更高的阻断电压 VBR（min）= 1600

优势:
• 开关频率增加
• 减少功率损耗
• 更好的热管理，可提高可靠性
• 更低的 EMI 滤波要求
• 降低系统成本
• 针对峰值电流的最高可靠性

简介

IHW30N160R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N160R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。