IHW50N65R5中文资料650 V、50 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

反向导电 R5-H5 650 V、50 A IGBT 分立器件，带有 TO247 封装的单片集成二极管，适用于软开关应用和需要一些硬开关功能的设计。RC-H5 IGBT 是对上一代反向传导 IGBT 的补充，并扩展了 RC-H 系列的性能领先地位，专注于系统效率和可靠性。

特性 Features

• 最低 VCE(sat) 和优化的 Eoff
• 损耗降低高达 30%
• 650 V 阻断电压
• 可进行硬开关操作

应用 Application

• 电磁炉

简介

IHW50N65R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW50N65R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。