IHW40N65R5中文资料650 V、40 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

英飞凌将 TRENCHSTOP™ 5 系列的行业领先性能与反向导通 RC-H IGBTs 的技术创新相结合，创造了新一代在同类中较为出色的器件。650V RC-H5 IGBT 采用单片集成二极管，非常适用于诸如感应炉灶和逆变微波炉等软开关的应用，同时也适用于需要一些应开关功能的设计。

特性 Features

• 与上一代相比，具有低导通压降 V CE(sat) 和优化的关断损耗 E off，可降低损耗高达 30%
• 650V 阻断电压
• 能够实现硬开关

优势:
• 具有出色的效率，能降低结和外壳温度，从而提高设备可靠性
• 5可提供 50V的更高电压，实现更高的可靠性
• 在高达 40kHz 的更高开关频率的设计中表现良好

应用 Application

• 感应炉灶
• 逆变微波炉
• 其他谐振开关拓扑

简介

IHW40N65R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW40N65R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。