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IHW30N65R5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IHW30N65R5

参数属性

IHW30N65R5 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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IHW30N65R5规格书详情

描述 Description

英飞凌将 TRENCHSTOP™ 5 系列的行业领先性能与反向导通 RC-H IGBTs 的技术创新相结合,创造了新一代在同类中较为出色的器件。650V RC-H5 IGBT 采用单片集成二极管,非常适用于诸如感应炉灶和逆变微波炉等软开关的应用,同时也适用于需要一些应开关功能的设计。

特性 Features

• 与上一代相比,具有低导通压降 V CE(sat) 和优化的关断损耗 E off,可降低损耗高达 30%
• 650V 阻断电压
• 能够实现硬开关

优势:
• 具有出色的效率,能降低结和外壳温度,从而提高设备可靠性
• 5可提供 50V的更高电压,实现更高的可靠性
• 在高达 40kHz 的更高开关频率的设计中表现良好

应用 Application

• 感应炉灶
• 逆变微波炉
• 其他谐振开关拓扑

简介

IHW30N65R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N65R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IHW30N65R5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Switching Frequency min

    :20 kHz

  • Switching Frequency max

    :150 kHz

  • Technology

    :IGBT TRENCHSTOP™ 5

  • Voltage Class max

    :650 V

  • IC @ 100° max

    :30 A

  • VCE(sat)

    :1.35 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Eon

    :0.85 mJ

  • Eoff Hard Switching

    :0.24 mJ

  • IF max

    :23 A

  • Qrr

    :1900 nC

  • Driver Selection

    :5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=650.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=13.0|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IHW30N65R5

  • Type

    :IGBT + Diode

  • Package name

    :PG-TO247-3

  • td(on)

    :29 ns

  • tr

    :17 ns

  • td(off)

    :220 ns

  • tf

    :8 ns

  • QGate

    :153 nC

  • IC @ 25° max

    :60 A

  • IFpuls max

    :42 A

  • VF

    :1.7 V

  • Irrm

    :28 A

  • ICpuls max

    :90 A

  • tSC

    :0 µs

  • Soft Switching

    :yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-247
928
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