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IHW30N100R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：370.91 Kbytes Page：12 Pages	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：330 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R_08	文件：330 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：360.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IXFX30N100	文件：367.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTB30N100L	文件：307.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
IHW30N100R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
开关能量：
2.1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/846ns
测试条件：
600V，30A，26 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
描述：
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

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