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IHW40T60	文件：462.48 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40T60	文件：582.74 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40T60_13	文件：582.74 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40T60FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 303W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
H40T60	文件：383.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
M40T60A	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
M40T60A	文件：238.57 Kbytes Page：5 Pages	TRIACs,40ASunbberless	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
M40T60A-B	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
RBR40T60ANZ	文件：844.99 Kbytes Page：8 Pages	SchottkyBarrierDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
SIGC40T60E	文件：291.08 Kbytes Page：9 Pages	600Vtrench&fieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IHW40T60
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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