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IHW30N90T	文件：329.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode Features: •1.1VForwardvoltageofantiparalleldiode •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestab	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N90T	文件：293.73 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N90T_08	文件：293.73 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N90TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 60A 428W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
GW30N90D	文件：159.35 Kbytes Page：10 Pages	N-channel900V-30A-TO-247VeryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
IHW30N90R	文件：304 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •1.5VtypicalsaturationvoltageofIGBT •TrenchandFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchingcapabilityduetopositive temperaturecoefficientinVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N90R	文件：356.25 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N90R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
STGW30N90D	文件：159.35 Kbytes Page：10 Pages	N-channel900V-30A-TO-247VeryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

型号：
IHW30N90T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 900V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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