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IHY20N135R3	文件：1.49014 Mbytes Page：15 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHY20N135R3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1350V 40A 310W TO247HC-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW20N135R3	文件：2.06415 Mbytes Page：15 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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IHY20N135R3

文件：1.49014 Mbytes

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Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IHY20N135R3XKSA1

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1350V 40A 310W TO247HC-3

InfineonInfineon Technologies AG

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IHW20N135R3

文件：2.06415 Mbytes

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ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit

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详细参数

型号：
IHY20N135R3
功能描述：
IGBT 晶体管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IHY20N135R3供应商更新时间2024-4-29 10:54:00

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