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IHW30N100T	文件：360.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N100T	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N100T_08	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N100TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BW-30N100W	文件：190.4 Kbytes Page：2 Pages	N-TypeFixedAttenuator	MINIMini-Circuits 微型电路
IGW30N100T	文件：802.72 Kbytes Page：11 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat Designedf	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N100R	文件：370.91 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N100R	文件：330 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N100R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IXFK30N100	文件：328.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX30N100	文件：367.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTB30N100L	文件：307.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTB30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETswithExtendedFBSOA	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTN30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETswithExtendedFBSOA	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTN30N100L	文件：134.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
RM30N100LD	文件：318.35 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司

详细参数

型号：
IHW30N100T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1000V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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