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IGT60R042D1	文件：553.39 Kbytes Page：16 Pages	丝印：60R042D1；Package：PG-HSOF-8-3；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IGO60R042D1	文件：573.53 Kbytes Page：16 Pages	600VCoolGaN™enhancement-modePowerTransistor Features •Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch •Ultrafastswitching •Noreverse-recoverycharge •Capableofreverseconduction •Lowgatecharge,lowoutputcharge •Superiorcommutationruggedness •QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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