丝印：60R042D1；Package：PG-HSOF-8-3；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

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600 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管，适用于底部冷却功率封装中的高功率应用

IGT60R042D1 可实现更紧凑的拓扑结构，并在更高频率运行下提高效率。它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。它采用底部冷却的 HSOF-8 封装，设计用于满足现代数据中心、服务器、电信、可再生能源和众多其他应用所需的最佳功率耗散。 • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态\n• 超快速开关\n• 无反向恢复电荷\n• 具有反向传导能力\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 卓越的换向坚固性\n• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)\n• 低动态 RDS(on)\n• 底部冷却;

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600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse-recovery charge • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge • Superior commutation ruggedness • Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

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600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse-recovery charge • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge • Superior commutation ruggedness • Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

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