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IGT60R042D1中文资料600 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管,适用于底部冷却功率封装中的高功率应用数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IGT60R042D1

功能描述

600 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管,适用于底部冷却功率封装中的高功率应用

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IGT60R042D1规格书详情

描述 Description

IGT60R042D1 可实现更紧凑的拓扑结构,并在更高频率运行下提高效率。它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程,超过了行业标准。它采用底部冷却的 HSOF-8 封装,设计用于满足现代数据中心、服务器、电信、可再生能源和众多其他应用所需的最佳功率耗散。

特性 Features

• E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
• 超快速开关
• 无反向恢复电荷
• 具有反向传导能力
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 卓越的换向坚固性
• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
• 低动态 RDS(on)
• 底部冷却

应用 Application

• DIN 导轨电源解决方案

技术参数

  • 制造商编号

    :IGT60R042D1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpuls(@25°C) max

    :90 A

  • QG

    :8.8 nC

  • RDS (on)(typ)

    :35 mΩ

  • VDSmax

    :600 V

  • Mounting

    :SMT

  • Generation

    :≤ G3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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Infineon/英飞凌
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