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HYG110P04LQ2S中文资料P MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG110P04LQ2S规格书详情
描述 Description
此器件为 P 沟道、-40V耐压、11mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
：HYG110P04LQ2S
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：-11
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：16
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：23
- PD@TC=25℃ (W)
：3
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：-1~-3
- Ciss Typ(pF)
：3960
- Qg Typ(nC)
：69
- Configuration
：Single - P
- Package
：SOP8L
- Application
：DC-DC / 负载开关
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HY/华羿微 |
21+ |
TO-252 |
1750 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HY |
24+ |
TO-252 |
17550 |
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HY |
25+ |
PDFN8L(5x6) |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
HY/华羿微 |
23+ |
TO-252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
SOP8L |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
TO-252 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HY Electronic Corp |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
HYElectronicCorp |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
TO-252-3 |
20876 |
询价 |
