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HYG090N06LS1C1数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG090N06LS1C1

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 9:40:00

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HYG090N06LS1C1规格书详情

描述 Description

此器件为60V、8.2mΩ、DFN3*3封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如PD电源、无线充,DC-DC等应用领域

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG090N06LS1C1

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :36

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :9.8

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :15.3

  • PD@TC=25℃ (W)

    :25

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :926

  • Qg Typ(nC)

    :18.5

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :DFN8L(0303)

  • Application

    :电源 / DC-DC

  • Status

    :MP

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