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HYG090N04LS1C2数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG090N04LS1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 11:29:00

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HYG090N04LS1C2规格书详情

描述 Description

此器件为40V、6.3mΩ、PDFN8L(5x6) 封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足锂电池保护、电机驱动等领域。

特性 Features

低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试  

应用 Application

锂电保板,电机驱动

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
21+
DFN5*6-8L
20000
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
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HUAYI/华羿微
23+
DFN8
50000
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TO-220FB-3L
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现货库存,实单请给接受价格
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25+
PDFN8L(5x6)
10000
原厂原装,价格优势
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HUAYI(华羿微)
2025+
DFN-8(5.2x5.9)
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PPAK5*6
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DFN8
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HY
A2G05LS1N
DFN5*6-8L
15
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