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HYG065N10LS1C2数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG065N10LS1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 16:55:00

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HYG065N10LS1C2规格书详情

描述 Description

此器件为100V、6.2mΩ、PDFN8L(5x6) 封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足锂电池保护、PD快充电源等应用。

特性 Features

低内阻   
符合RoHS标准  
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺

应用 Application

PD电源、锂电保护

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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