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HYG060P04LQ1C2中文资料P MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG060P04LQ1C2规格书详情
描述 Description
此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.4mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
：HYG060P04LQ1C2
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：-75
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：6.5
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：9.8
- PD@TC=25℃ (W)
：62.5
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：-1~-3
- Ciss Typ(pF)
：6774
- Qg Typ(nC)
：128
- Configuration
：Single - P
- Package
：PDFN8L(5x6)
- Application
：电池保护板 / DC-DC / 负载开关
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HY |
21+ |
TO-263 |
400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HY |
24+ |
PPAK5*6 |
20040 |
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-263-2L |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
HY |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
PPAK5*6 |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
TO-263-2 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-220FB-3L |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
TO-220FB-3L |
20876 |
询价 | |||
HY |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
华羿微 |
23+ |
PPAK5*6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
