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HYG053N10NS1D数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG053N10NS1D

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 20:00:00

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HYG053N10NS1D规格书详情

描述 Description

此器件为100V、5.2mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG053N10NS1D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :95

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :6

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :107.1

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2.2~3.8

  • Ciss Typ(pF)

    :3642

  • Qg Typ(nC)

    :65

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :电源 / 电机驱动

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华羿微
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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