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HYG037N04LR1D中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG037N04LR1D规格书详情
描述 Description
此器件为40V、3.8mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合锂电保护、电动工具等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
：HYG037N04LR1D
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：80
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：4.6
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：6.7
- PD@TC=25℃ (W)
：62.5
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：1~3
- Ciss Typ(pF)
：2186
- Qg Typ(nC)
：51.7
- Configuration
：Single - N
- Package
：TO-252-2L
- Application
：电池保护板 / 电机驱动
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
DPAK |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HY |
24+ |
TO-252-2L |
7505 |
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-263-2L |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
PDFN-8L(5x6) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
TO-252-2L |
20876 |
询价 | |||
HY |
2020+ |
TO-263 |
20 |
询价 |
