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HYG030N03LQ1C1中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG030N03LQ1C1规格书详情
描述 Description
此器件为30V、2.4mΩ、PDFN3*3封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合电动工具和锂电保护板等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
:HYG030N03LQ1C1
- 生产厂家
:Huayi
- ID@TC=25℃
:76
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
:2.9
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
:4.2
- PD@TC=25℃ (W)
:33
- Vgs(±V)
:20
- Vth (V)
:1~3
- Ciss Typ(pF)
:1982
- Qg Typ(nC)
:55.9
- Configuration
:Single - N
- Application
:电池保护板 / 电机驱动
- Status
:MP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HY/华羿微 |
2024+ |
TO-252 |
500000 |
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HY/华羿微 |
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TO-252 |
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HY |
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HY |
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TO-252 |
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华羿微 |
25+ |
TO-252 |
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HY/华羿微 |
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TO-252 |
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HY |
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TO-252 |
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全新原装正品,现货销售 |
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HUAYI/华羿微 |
25+ |
PPAK3.3*3.3-8-903 |
5000 |
一级代理 |
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HY |
23+ |
TO-252 |
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HY |
25+ |
TO-252 |
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