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HYG027N04LR1C2数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG027N04LR1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 18:30:00

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HYG027N04LR1C2规格书详情

描述 Description

此器件为40V、2.7mΩ、PDFN(3.3×3.3)封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合电机驱动、锂电保护等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG027N04LR1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :90

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :3.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :4.4

  • PD@TC=25℃ (W)

    :58

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :3626

  • Qg Typ(nC)

    :83.4

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :电池保护板 / 电机驱动

  • Status

    :MP

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