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HYG025N06LS1B中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG025N06LS1B

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 13:01:00

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HYG025N06LS1B规格书详情

描述 Description

此器件为60V、2.9mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足同步整流,电机驱动等应用领域。

特性 Features

低内阻   
符合RoHS标准  
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺

应用 Application

同步整流,电机驱动

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG025N06LS1B

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :190

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :3.2

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :4.5

  • PD@TC=25℃ (W)

    :231

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :3828

  • Qg Typ(nC)

    :58.3

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-2L

  • Application

    :电机驱动 / AC-DC同步整流

  • Status

    :MP

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