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HYG022N10NS1TA中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG022N10NS1TA

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 9:20:00

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HYG022N10NS1TA规格书详情

描述 Description

此器件为100V N管2.2mΩ内阻、TOLL封装产品,芯片采用SGT工艺设计。该器件抗冲击能力强,可满足电机控制,锂电池保护板等应用领域

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG022N10NS1TA

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :249

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :2.8

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :312

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :9026

  • Qg Typ(nC)

    :160.5

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TOLL

  • Application

    :电池保护板 / 电机驱动

  • Status

    :MP

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