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HYG018N03LS1D中文资料SGT MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG018N03LS1D规格书详情
描述 Description
此器件为N 沟道、30V耐压、内阻1.7mΩ、TO-252-2L封装产品，芯片采用SGT工艺设计，该器件适合高频应用，可满足如AC-DC同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换、电池保护等应用领域。
特性 Features
低内阻
优异的FOM值
低输入电容
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
应用 Application
BMS
技术参数
- 制造商编号
：HYG018N03LS1D
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：120
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：2
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：3.1
- PD@TC=25℃ (W)
：58
- Vgs(±V)
：10
- Vth (V)
：1~3
- Ciss Typ(pF)
：3392
- Qg Typ(nC)
：50.7
- Configuration
：Single - N
- Package
：TO-252-2L
- Application
：电池保护板 / 电机驱动
- 同类型号
：/
- Status
：PP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HY华羿 |
23+ |
TO-263-2LNMOS |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
HY |
23+ |
TO-263-6 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
TO-220FB-3L |
20876 |
询价 | |||
HY |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
HY |
22+ |
PDFN5*6-8L |
17804 |
原装现货实单支持 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
DPAK |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HY |
21+ |
TO-252 |
100 |
原装现货17377264928微信同号 |
询价 | ||
华羿微 |
两年内 |
NA |
4500 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
HY |
21+ |
TO-263-6 |
710 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
