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HYG016N04LS1B数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG016N04LS1B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 16:55:00

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HYG016N04LS1B规格书详情

描述 Description

此器件为40V、1.4mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合DC-DC、逆变器、BMS等应用领域

特性 Features

低内阻      
优异的QG
符合RoHS标准  
100%  DVDS测试
100% UIL测试

应用 Application

BMS/DC-DC/逆变器

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG016N04LS1B

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :240

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :1.7

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :2.2

  • PD@TC=25℃ (W)

    :200

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :5894

  • Qg Typ(nC)

    :92.5

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-2L

  • Application

    :电池保护板 / DC-DC / 逆变器

  • Status

    :MP

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