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HYG013N04NA1P数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG013N04NA1P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 18:15:00

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HYG013N04NA1P规格书详情

描述 Description

此器件为40V、1.3mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合锂电保护板等应用领域

特性 Features

低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试   

应用 Application

BMS

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG013N04NA1P

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :260

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :1.6

  • PD@TC=25℃ (W)

    :230

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :11620

  • Qg Typ(nC)

    :265

  • Configuration

    :Dual - N

  • Package

    :TO-220FB-3L

  • Application

    :电池保护板

  • Status

    :MP

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