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HYG011N04NS1TA数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG011N04NS1TA

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 19:14:00

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HYG011N04NS1TA规格书详情

描述 Description

此器件为40V、0.95mΩ、TOLL封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如 负载开关、DC-DC、锂电保护等应用领域。

特性 Features

低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试

应用 Application

负载开关、DC-DC、锂电保护

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG011N04NS1TA

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :334

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :1.2

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :241

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :5816

  • Qg Typ(nC)

    :85

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TOLL

  • Application

    :电池保护板 / DC-DC / 负载开关

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-263-2L
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