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HYG004N03LS1B6数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG004N03LS1B6

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 16:55:00

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HYG004N03LS1B6规格书详情

描述 Description

此器件为30V、0.3mΩ、TO-263-6L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足负载开关、锂电保护等应用领域。

特性 Features

低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试 

应用 Application

负载开关、锂电保护

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG004N03LS1B6

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :690

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :0.45

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :0.8

  • PD@TC=25℃ (W)

    :429

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :13200

  • Qg Typ(nC)

    :256

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263LV-6L

  • Application

    :电池保护板 / 负载开关

  • 同类型号

    :IPB240N03S4L-R8

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