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HYG006N04LS1B6数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG006N04LS1B6

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 16:55:00

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HYG006N04LS1B6规格书详情

描述 Description

器件为40V、0.55mΩ、TO-263-6L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足锂电保护板,电动工具等应用领域的需求

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG006N04LS1B6

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :530

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :0.72

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :0.84

  • PD@TC=25℃ (W)

    :405

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1.1~2.5

  • Ciss Typ(pF)

    :15580

  • Qg Typ(nC)

    :233

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-6L

  • Application

    :电池保护板 / 电机驱动

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
24+
DFN5*6-8L
10000
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718
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23+
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23+
DFN5*6-8L
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现货库存,实单请给接受价格
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HUAYI/华羿微
25+
TO-263-6L
5000
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2022+原装正品
DFN5*6-8
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支持工厂BOM表配单 公司只做原装正品货
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