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HYG012N03LR1B数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG012N03LR1B

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 19:14:00

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HYG012N03LR1B规格书详情

描述 Description

此器件为30V、1.2mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合锂电保护板应用领域

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG012N03LR1B

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :250

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :1.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :1.7

  • PD@TC=25℃ (W)

    :187.5

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :8123

  • Qg Typ(nC)

    :187.9

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-2L

  • Application

    :电池保护板

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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