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HYG015N03LS1C2中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG015N03LS1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 12:00:00

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HYG015N03LS1C2规格书详情

描述 Description

此器件为30V、1.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合DC-DC、锂电保护板等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG015N03LS1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :130

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :2

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :3.5

  • PD@TC=25℃ (W)

    :62.5

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :2164

  • Qg Typ(nC)

    :33.4

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :电池保护板 / DC-DC

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
A3C02LS1N
PDFN5*6-8L
25
原装现货17377264928微信同号
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HY/华羿微
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HUAYI(华羿微)
25+
PDFN-8L(5x6)
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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