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HYG016N04NS1P数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG016N04NS1P

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 18:15:00

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HYG016N04NS1P规格书详情

描述 Description

此器件为40V、1.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如电动工具、锂电保护等应用领域。

特性 Features

低内阻   
符合RoHS标准  
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺

应用 Application

锂电池保护板、电动工具

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG016N04NS1P

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :290

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :1.7

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :258

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :6004

  • Qg Typ(nC)

    :86

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-220FB-3L

  • Application

    :电池保护板 / 电动工具

  • Status

    :PP

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