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HYG017N04NR1B6中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG017N04NR1B6

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 12:00:00

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HYG017N04NR1B6规格书详情

描述 Description

此器件为45V、1.3mΩ、TO-263-6L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合锂电池保护板、小功率汽车应急电源等应用。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG017N04NR1B6

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :320

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :1.6

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :300

  • Vgs(±V)

    :25

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :6382

  • Qg Typ(nC)

    :161

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-6L

  • Application

    :电池保护板

  • Status

    :MP

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