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HYG024N03LR1C2数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG024N03LR1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 16:10:00

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HYG024N03LR1C2规格书详情

描述 Description

此器件为30V、1.1mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用Trench流片工艺,该器件可满足如BMS、无人机电调等应用领域

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG024N03LR1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :140

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :2.1

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :2.8

  • PD@TC=25℃ (W)

    :71.4

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :3936

  • Qg Typ(nC)

    :88.1

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :电池保护板 / DC-DC

  • Status

    :MP

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