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HYG028N10NS1P中文资料SGT MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG028N10NS1P规格书详情
描述 Description
此器件为 100V、2.6mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，可满足如直流电动机等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
：HYG028N10NS1P
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：230
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：3.3
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：N/A
- PD@TC=25℃ (W)
：300
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：2~4
- Ciss Typ(pF)
：10320
- Qg Typ(nC)
：176
- Configuration
：Single - N
- Package
：TO-220FB-3L
- Application
：电机驱动
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HY |
21+ |
TO-220 |
20 |
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询价 | ||
HY/华羿微 |
2024+ |
TO-252 |
500000 |
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HY/华羿微 |
21+ |
TO-252 |
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HY |
24+ |
TO-252 |
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HY |
24+ |
TO-252 |
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华羿微 |
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TO-263 |
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HY/华羿微 |
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HY |
24+ |
TO-252 |
5000 |
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HUAYI/华羿微 |
25+ |
TO-220FB-3L |
5000 |
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HY |
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