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HYG030N03LQ1D中文资料N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG030N03LQ1D

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:41:00

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HYG030N03LQ1D规格书详情

描述 Description

此器件为 30V、2.5mΩ、DPAK封装产品,采用Trench流片工艺,该器件可满足如锂电池保护板等应用领域的需求

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG030N03LQ1D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :100

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :3

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :4.2

  • PD@TC=25℃ (W)

    :57

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :1958

  • Qg Typ(nC)

    :54.8

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :SOT23-3L

  • Application

    :电池保护板

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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