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HYG030N03LQ1D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET; 此器件为 30V、2.5mΩ、DPAK封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可满足如锂电池保护板等应用领域的需求\n	HuayiHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	Huayi
HYIOUGGOMF1P-6SSOE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SKHYNIX FBGA	SKHYNIX 相关企业：深圳庞田科技有限公司	SKHYNIX
HYM8025	文件：0 bytes Page：0 Pages	Haoyu SOP14	HAOYUHAOYU MICROELECTRONIC., LTD. 昊昱微电子武汉昊昱微电子股份有限公司相关企业：佛山市芯光达科技有限公司	HAOYU
HZ0402B102R-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	LAIRD TECHNOLOGIES	LAIRD TECHNOLOGIES 相关企业：天津市博通航睿技术有限公司	LAIRD TECHNOLOGIES
HZ0402I601R-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	LAIRD TECHNOLOGIES	LAIRD TECHNOLOGIES 相关企业：天津市博通航睿技术有限公司	LAIRD TECHNOLOGIES

技术参数

ID@TC=25℃：
100
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
3
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
4.2
PD@TC=25℃ (W)：
57
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
1~3
Ciss Typ(pF)：
1958
Qg Typ(nC)：
54.8
Configuration：
Single - N
Package：
SOT23-3L
Application：
电池保护板
Status：
MP

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