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HYG040N06LS1D中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG040N06LS1D

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:30:00

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HYG040N06LS1D规格书详情

描述 Description

此器件为60V、4.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可用在锂电保护、DC-DC等应用领域。

特性 Features

低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试  

应用 Application

锂电保护、DC-DC

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG040N06LS1D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :100

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :5.4

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :9

  • PD@TC=25℃ (W)

    :109

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :2038

  • Qg Typ(nC)

    :35

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :电池保护板 / DC-DC

  • 同类型号

    :IPD053N06N

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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