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HYG040N06LS1D中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG040N06LS1D规格书详情
描述 Description
此器件为60V、4.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可用在锂电保护、DC-DC等应用领域。
特性 Features
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
应用 Application
锂电保护、DC-DC
技术参数
- 制造商编号
:HYG040N06LS1D
- 生产厂家
:Huayi
- ID@TC=25℃
:100
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
:5.4
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
:9
- PD@TC=25℃ (W)
:109
- Vgs(±V)
:20
- Vth (V)
:1~3
- Ciss Typ(pF)
:2038
- Qg Typ(nC)
:35
- Configuration
:Single - N
- Package
:TO-252-2L
- Application
:电池保护板 / DC-DC
- 同类型号
:IPD053N06N
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HY/华羿微 |
2024+ |
TO-220 |
500000 |
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TO-220 |
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HY |
24+ |
TO-220 |
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HY |
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HY |
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TO-263-2L |
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HY华羿微 |
24+ |
TO-220 |
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HY |
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TO-220 |
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全新原装正品,现货销售 |
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HUAYI/华羿微 |
25+ |
DPAK |
5000 |
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HUAYI(华羿微) |
25+ |
TO-263-2 |
500000 |
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HY |
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