首页>HYG053N10NS1B>规格书详情
HYG053N10NS1B中文资料N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG053N10NS1B规格书详情
描述 Description
此器件为100V、4.8mΩ、TO-263-2L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如保护板，电机驱动，等应用领域
技术参数
- 制造商编号
：HYG053N10NS1B
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：120
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：5.5
- PD@TC=25℃ (W)
：187.5
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：2~4
- Ciss Typ(pF)
：4036
- Qg Typ(nC)
：70
- Configuration
：Single - N
- Package
：TO-263-2L
- Application
：电池保护板 / 电机驱动
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华羿微 |
24+ |
NA/ |
3280 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
HY |
24+ |
PPAK5*6 |
5000 |
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
24+ |
TO-263 |
196000 |
专营华羿微MOS原装保障 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
TO-263LP-2L |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
PDFN-8(5x5.8) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微电子) |
24+ |
con |
20 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-263 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
TO-263-2 |
20876 |
询价 | |||
HY |
2431 |
TO-263 |
890 |
原装现货17377264928微信同号 |
询价 | ||
华羿微 |
两年内 |
NA |
6210 |
实单价格可谈 |
询价 |
