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HYG053N10NS1B	文件：411.6 Kbytes Page：10 Pages	丝印：G053N10；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature  100V/120A RDS(ON)=4.8 mΩ(typ.)@VGS = 10V  100% Avalanche Tested  Reliable and Rugged  Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications  Switching application  Power management for inverter systems  Battery management 文件：411.6 Kbytes 页数：10 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HYG053N10NS1B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 此器件为100V、4.8mΩ、TO-263-2L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如保护板，电机驱动，等应用领域	Huayi 华羿微电	Huayi
HYG053N10NS1P	文件：411.6 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature  100V/120A RDS(ON)=4.8 mΩ(typ.)@VGS = 10V  100% Avalanche Tested  Reliable and Rugged  Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications  Switching application  Power management for inverter systems  Battery management 文件：411.6 Kbytes 页数：10 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HYM8025	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP14	HAOYU 昊昱微电子上传：佛山市芯光达科技有限公司	HAOYU

更多HYG053N10NS1B供应商更新时间2026-9-28 9:35:00