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HYG090N06LS1C2数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG090N06LS1C2

功能描述

Single N MOSFET(50V~80V)

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 15:48:00

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HYG090N06LS1C2规格书详情

描述 Description

此器件为N 沟道、60V耐压、内阻7.7mΩ、PDFN5*6封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG090N06LS1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :60

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :9.2

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :14.1

  • PD@TC=25℃ (W)

    :62.5

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :926

  • Qg Typ(nC)

    :18.5

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
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TO-220FB-3L
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