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HYG092N06LS1C2中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG092N06LS1C2规格书详情
描述 Description
此器件为60V、7.8mΩ、PDFN8L（5x6）封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如保护板，电机驱动等应用领域。
特性 Features
优异的QG
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
应用 Application
电机驱动、锂电保护
技术参数
- 制造商编号
：HYG092N06LS1C2
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：60
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：8.1
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：9.8
- PD@TC=25℃ (W)
：77.3
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：1.3~2.5
- Ciss Typ(pF)
：998
- Qg Typ(nC)
：18
- Configuration
：Single - N
- Package
：PDFN8L(5x6)
- Application
：电池保护板 / 电机驱动
- Status
：MP
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